对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 供应商器件包装 | 晶体管元件材料 | 厂商 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 附加功能 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管特性 | RoHS状态 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFZ44NSPBF | Infineon Technologies | 数据表 | 38565 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | YES | SILICON | 10V | 1 | 3.8W Ta 94W Tc | 49A Tc | 4V @ 250μA | -55°C~175°C TJ | Tube | 2001 | HEXFET® | e3 | Discontinued | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY | SINGLE | 鸥翼 | 260 | 30 | R-PSSO-G2 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | N-Channel | SWITCHING | 17.5m Ω @ 25A, 10V | 1470pF @ 25V | 63nC @ 10V | 55V | ±20V | 49A | 0.0175Ohm | 160A | 55V | 150 mJ | ROHS3 Compliant | ||||||||
IRFZ44NSPBF | International Rectifier | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | D2PAK | Bulk | 49A (Tc) | International Rectifier | 10V | 3.8W (Ta), 94W (Tc) | 活跃 | 4V @ 250µA | -55°C ~ 175°C (TJ) | HEXFET® | MOSFET (Metal Oxide) | N-Channel | 17.5mOhm @ 25A, 10V | 1470 pF @ 25 V | 63 nC @ 10 V | 55 V | ±20V | - |



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