IRHF7110SCS
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International Rectifier IRHF7110SCS

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型号

IRHF7110SCS

utmel 编号

1240-IRHF7110SCS

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, CERAMIC, MODIFIED TO-39, 3 PIN

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IRHF7110SCS International Rectifier Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, CERAMIC, MODIFIED TO-39, 3 PIN

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IRHF7110SCS详情

International Rectifier IRHF7110SCS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 2 years ago)

  • 底架

    通孔

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    3

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Description

    CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Package Body Material

    METAL

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IRHF7110SCS

  • Package Shape

    ROUND

  • Manufacturer

    International Rectifier

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    INTERNATIONAL RECTIFIER CORP

  • Risk Rank

    8.09

  • Part Package Code

    BCY

  • Drain Current-Max (ID)

    3.5 A

  • 包装

    Bulk

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    2

  • JESD-30代码

    O-MBCY-W3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    15 W

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    2.2 A

  • JEDEC-95代码

    TO-205AF

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.69 Ω

  • 漏源击穿电压

    100 V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    14 A

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    68 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 辐射硬化

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