International Rectifier IRHMS58160
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IRHMS58160
1240-IRHMS58160
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 100V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3
1最小包装量--
IRHMS58160详情
International Rectifier IRHMS58160重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRHMS58160
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
7.9
Part Package Code
TO-254AA
Drain Current-Max (ID)
45 A
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
辐射硬化
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
S-CSFM-P3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-254AA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
45 A
漏极-源极导通最大电阻
0.014 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
180 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
493 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
208 W
IRHMS58160拓展信息
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