International Rectifier IRHNA9064
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IRHNA9064
1240-IRHNA9064
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 60V, 0.048ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD2, 3 PIN
1最小包装量--
IRHNA9064详情
International Rectifier IRHNA9064重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Package Description
CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Package Style
CHIP CARRIER
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
IRHNA9064
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER HIREL PRODUCTS LLC
Risk Rank
7.4
Drain Current-Max (ID)
48 A
包装
Bulk
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-CBCC-N3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
300 W
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
连续放电电流(ID)
-30 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏极-源极导通最大电阻
0.048 Ω
漏源击穿电压
-60 V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
192 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
500 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
辐射硬化
有
IRHNA9064拓展信息
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