International Rectifier IRHNMC53110
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IRHNMC53110
1240-IRHNMC53110
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.2, 3 PIN
1最小包装量--
IRHNMC53110详情
International Rectifier IRHNMC53110重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
底架
表面贴装
引脚数
3
RoHS
Compliant
包装
Bulk
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
功率耗散
23 W
连续放电电流(ID)
4.4 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
100 V
辐射硬化
有
IRHNMC53110拓展信息
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