International Rectifier IRLR120NTR
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IRLR120NTR
1240-IRLR120NTR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3
1最小包装量--
IRLR120NTR详情
International Rectifier IRLR120NTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
3
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Voltage Rating (DC)
100 V
RoHS
Compliant
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IRLR120NTR
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
International Rectifier
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
7.58
Part Package Code
TO-252AA
Drain Current-Max (ID)
10 A
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
雪崩 额定
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
额定电流
11 A
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
35 ns
漏源电压 (Vdss)
100 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
10 A
JEDEC-95代码
TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻
0.225 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
35 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
85 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
185 mΩ
达到SVHC
compliant
无铅
含铅
IRLR120NTR拓展信息
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