International Rectifier SPB03N60C3ATMA1
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SPB03N60C3ATMA1
1240-SPB03N60C3ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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SPB03N60C3ATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from International Rectifier stock available at utmel
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SPB03N60C3ATMA1详情
International Rectifier SPB03N60C3ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装
PG-TO263-3-2
Voltage, Rating
150 V
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.2A (Tc)
Other Names
SP000013517 SPB03N60C3 SPB03N60C3ATMA1TR SPB03N60C3INTR SPB03N60C3INTR-ND SPB03N60C3XT SPB03N60C3XTINTR SPB03N60C3XTINTR-ND
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
38W (Tc)
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.9V @ 135µA
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
CoolMOS™
包装
Tape & Reel (TR)
容差
1 %
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
温度系数
100 ppm/°C
电阻
42.7 Ω
最高工作温度
155 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Thin Film
额定功率
250 mW
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4 Ohm @ 2A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
-
高度
650 µm
SPB03N60C3ATMA1拓展信息
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