Intersil HGT1S20N35G3VLS

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

TO-263AB, 3 PIN

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-off Time-Nom (toff)

15000 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

HGT1S20N35G3VLS

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Fairchild Semiconductor Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.04

Part Package Code

D2PAK

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

子类别

绝缘栅BIP晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

汽车点火装置

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大耗散功率(Abs)

150 W

集电极电流-最大值(IC)

20 A

集电极-发射器电压-最大值

320 V

栅极-发射极电压-最大值

12 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

2.3 V