HGTD6N40E1S
HGTD6N40E1S

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Intersil HGTD6N40E1S

  • 收藏
  • 对比

型号

HGTD6N40E1S

品牌

Intersil

utmel 编号

1244-HGTD6N40E1S

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 400V V(br)ces, N-channel, TO-252AA

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
HGTD6N40E1S
HGTD6N40E1S Intersil Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 400V V(br)ces, N-channel, TO-252AA

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

HGTD6N40E1S详情

Intersil HGTD6N40E1S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Non-Compliant

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    未说明

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    HGTD6N40E1S

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Rochester Electronics LLC

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    ROCHESTER ELECTRONICS LLC

  • Risk Rank

    5.76

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SINGLE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-252AA

  • 集电极电流-最大值(IC)

    7.5 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    400 V

0个相似型号

HGTD6N40E1S拓展信息

HGTP10N50E1
HGTP10N50E1

Intersil

HGTG20N100D2
HGTG20N100D2

Intersil

HGT1S12N60C3
HGT1S12N60C3

Intersil

HGTP3N60C3
HGTP3N60C3

Intersil

HGTG12N60D1D
HGTG12N60D1D

Intersil

HGTG40N60C3R
HGTG40N60C3R

Intersil

HGTG32N60E2
HGTG32N60E2

Intersil

HGTP20N60C3R
HGTP20N60C3R

Intersil

HGTD3N60B3S
HGTD3N60B3S

Intersil

HGTD7N60B3S
HGTD7N60B3S

Intersil

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z