ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800E-6BLI
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IS42RM32800E-6BLI
1266-IS42RM32800E-6BLI
存储器
90-TFBGA
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DRAM 256M 2.5V 166Mhz 8Mx32 Mobile SDR
--最小包装量--
IS42RM32800E-6BLI详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800E-6BLI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
90-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
90
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
90
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
2.3V~3V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
0.8mm
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3V
电源
2.5V
电源电压-最小值(Vsup)
2.3V
内存大小
256Mb 8M x 32
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
最大电源电流
80mA
时钟频率
166MHz
访问时间
5.5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
32b
组织结构
8MX32
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.00001A
记忆密度
268435456 bit
I/O类型
COMMON
刷新周期
4096
顺序突发长度
1248FP
交错突发长度
1248
长度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS42RM32800E-6BLI拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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