ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32160E-75BL
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IS42RM32160E-75BL
1266-IS42RM32160E-75BL
存储器
90-TFBGA
大陆
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DRAM 512M, 2.5V, 133Mhz 16Mx32 Mobile SDR
--最小包装量--
IS42RM32160E-75BL详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32160E-75BL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
90-TFBGA
引脚数
90
Memory Types
Volatile
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
90
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
2.3V~3V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
电源电压
2.5V
端子间距
0.8mm
工作电源电压
2.5V
电源电压-最大值(Vsup)
3V
电源电压-最小值(Vsup)
2.3V
内存大小
512Mb 16M x 32
端口的数量
1
电源电流
120mA
操作模式
SYNCHRONOUS
最大电源电流
80mA
时钟频率
133MHz
访问时间
6ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
32b
组织结构
16MX32
内存宽度
32
地址总线宽度
15b
密度
512 Mb
长度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS42RM32160E-75BL拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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