ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128B-3DBLI

表面安装

YES

包装/外壳

84-TFBGA

安装类型

表面贴装

Memory Types

Volatile

包装

Tray

操作温度

-40°C~85°C TA

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

84

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

HTS代码

8542.32.00.36

电压 - 供电

1.7V~1.9V

端子位置

BOTTOM

功能数量

1

端子间距

0.8mm

JESD-30代码

R-PBGA-B84

资历状况

不合格

电源

1.8V

内存大小

2Gb 128M x 16

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

333MHz

访问时间

450ps

内存格式

DRAM

内存接口

Parallel

组织结构

128MX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

15ns

待机电流-最大值

0.03A

记忆密度

2147483648 bit

I/O类型

COMMON

电压 - 供电 （最大值）

1.9V

电压 - 供电 （最小值）

1.7V

刷新周期

8192

顺序突发长度

48

交错突发长度

48

宽度

10.5mm

座位高度(最大)

1.2mm

长度

13.5mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant