ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-25DBL

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

60-TFBGA

表面安装

YES

引脚数

60

Memory Types

Volatile

操作温度

0°C~70°C TA

包装

Tray

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

60

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AUTO/SELF REFRESH

电压 - 供电

1.8V

端子位置

BOTTOM

功能数量

1

端子间距

0.8mm

最大电流源

135mA

资历状况

不合格

电源

1.8V

内存大小

512Mb 64M x 8

端口的数量

1

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

400MHz

访问时间

400ps

内存格式

DRAM

内存接口

Parallel

数据总线宽度

8b

组织结构

64MX8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

15ns

待机电流-最大值

0.013A

记忆密度

536870912 bit

I/O类型

COMMON

电压 - 供电 （最大值）

1.9V

电压 - 供电 （最小值）

1.7V

刷新周期

8192

顺序突发长度

48

交错突发长度

48

长度

10.5mm

座位高度(最大)

1.2mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant