ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400D-3DBLI-TR
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IS43DR86400D-3DBLI-TR
1266-IS43DR86400D-3DBLI-TR
存储器
60-TFBGA
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DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 64M x 8 1.8V 60-Pin TWBGA T/R
1最小包装量--
IS43DR86400D-3DBLI-TR详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400D-3DBLI-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
触点镀层
Copper, Silver, Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
60-TFBGA
引脚数
60
Memory Types
Volatile
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
60
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.8V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
内存大小
512Mb 64M x 8
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
333MHz
访问时间
450ps
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8b
组织结构
64MX8
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
14b
密度
512 Mb
电压 - 供电 (最大值)
1.9V
电压 - 供电 (最小值)
1.7V
长度
10.5mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS43DR86400D-3DBLI-TR拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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