ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32100D-6BL
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IS43LR32100D-6BL
1266-IS43LR32100D-6BL
存储器
90-TFBGA
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IC DRAM 32M PARALLEL 90TFBGA
1最小包装量--
IS43LR32100D-6BL详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32100D-6BL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
14 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
90-TFBGA
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
90
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B90
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
32Mb 1M x 32
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
166MHz
访问时间
5.5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
1MX32
内存宽度
32
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
记忆密度
33554432 bit
长度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
宽度
8mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS43LR32100D-6BL拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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