ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR32160B-6BLA2
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IS46LR32160B-6BLA2
1266-IS46LR32160B-6BLA2
存储器
90-TFBGA
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DRAM 512M (16Mx32) 1.8v Mobile DDR SDRAM
--最小包装量--
IS46LR32160B-6BLA2详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR32160B-6BLA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
14 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
90-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
90
Memory Types
Volatile
Usage Level
Automotive grade
操作温度
-40°C~105°C TA
包装
Tray
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
90
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.28
电压 - 供电
1.7V~1.95V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
1.8V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
90
工作电源电压
1.8V
电源电压-最大值(Vsup)
1.95V
电源电压-最小值(Vsup)
1.7V
内存大小
512Mb 16M x 32
端口的数量
1
时钟频率
166MHz
访问时间
5.5ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
32b
组织结构
16MX32
输出特性
3-STATE
内存宽度
32
写入周期时间 - 字符、页面
12ns
地址总线宽度
15b
密度
512 Mb
待机电流-最大值
0.00001A
I/O类型
COMMON
刷新周期
8192
顺序突发长度
24816
交错突发长度
24816
长度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS46LR32160B-6BLA2拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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