ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDP2B451236A-400M3L
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IS61DDP2B451236A-400M3L
1266-IS61DDP2B451236A-400M3L
存储器
165-LBGA
大陆
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SRAM 18Mb 400Mhz 512Kx36 DDR IIP Sync SRAM
1最小包装量--
IS61DDP2B451236A-400M3L详情
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDP2B451236A-400M3L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
165-LBGA
引脚数
165
Memory Types
Volatile
Current - Supply (Nom)
800mA
Usage Level
Commercial grade
操作温度
0°C~70°C TA
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
165
附加功能
流水线结构
电压 - 供电
1.8V
端子位置
BOTTOM
功能数量
1
资历状况
不合格
内存大小
18Mb 512K x 36
端口的数量
1
时钟频率
400MHz
访问时间
450 ps
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
36
地址总线宽度
18b
密度
18 Mb
待机电流-最大值
0.32A
I/O类型
COMMON
同步/异步
Synchronous
字长
36b
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IS61DDP2B451236A-400M3L拓展信息
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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