ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416EEBLL-10TLI

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

表面安装

YES

引脚数

44

Memory Types

Volatile

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

44

电压 - 供电

3V

端子位置

DUAL

功能数量

1

端子间距

0.8mm

资历状况

不合格

电源

2.5/3.3V

内存大小

1Mb 64K x 16

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

64KX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

10ns

待机电流-最大值

0.004A

记忆密度

1048576 bit

访问时间（最大）

10 ns

I/O类型

COMMON

待机电压-最小值

2V

电压 - 供电 （最大值）

3.6V

电压 - 供电 （最小值）

2.4V

长度

18.41mm

座位高度(最大)

1.2mm

宽度

10.16mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant