ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55T

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

引脚数

44

Memory Types

Volatile

Current - Supply (Nom)

3mA

操作温度

0°C~70°C TA

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

44

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

电压 - 供电

3.3V

端子位置

DUAL

功能数量

1

端子间距

0.8mm

内存大小

2Mb 128K x 16

端口的数量

1

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

地址总线宽度

17b

密度

2 Mb

访问时间（最大）

55 ns

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

16b

待机电压-最小值

1V

电压 - 供电 （最大值）

3.6V

电压 - 供电 （最小值）

2.5V

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant