ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216DBLL-55TLI

安装类型

表面贴装

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

表面安装

YES

引脚数

44

Memory Types

Volatile

操作温度

-40°C~85°C TA

包装

Tray

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

44

电压 - 供电

3.3V

端子位置

DUAL

功能数量

1

端子间距

0.8mm

最大电流源

10mA

内存大小

8Mb 512K x 16

端口的数量

1

内存格式

PSRAM

内存接口

Parallel

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

地址总线宽度

19b

密度

8 Mb

最高频率

18MHz

访问时间（最大）

55 ns

I/O类型

COMMON

电压 - 供电 （最大值）

3.6V

电压 - 供电 （最小值）

2.5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅