IXBK64N250
IXBK64N250

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥1452.548423

  • 10

    ¥1404.785708

  • 25

    ¥1395.020565

  • 50

    ¥1385.323301

  • 100

    ¥1356.829874

  • 500

    ¥1259.823467

IXYS IXBK64N250

  • 收藏
  • 对比

型号

IXBK64N250

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXBK64N250

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-264-3, TO-264AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BIMOSFET 2500V 75A MONO TO-247AD

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
IXBK64N250
IXBK64N250 IXYS BIMOSFET 2500V 75A MONO TO-247AD

单价: $

合计:

库存:405

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

IXBK64N250详情

IXYS IXBK64N250重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    28 Weeks

  • 表面安装

    NO

  • 包装/外壳

    TO-264-3, TO-264AA

  • 安装类型

    通孔

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    75A

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature (Max.)

    150°C

  • 系列

    BIMOSFET™

  • 已出版

    2011

  • 包装

    Bulk

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 附加功能

    低导通损耗

  • 端子位置

    SINGLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSFM-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 箱体转运

    COLLECTOR

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    735W

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    2500V

  • 最大耗散功率(Abs)

    735W

  • 接通时间

    632 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    3V @ 15V, 64A

  • 关断时间-标准值(toff)

    397 ns

  • 栅极-发射极电压-最大值

    25V

  • 栅极-发射极Thr电压-最大值

    5V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

IXBK64N250拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z