IXYS IXBX55N300

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

3kV

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

BIMOSFET™

已出版

2011

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

625W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

625W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

3.2V

最大集电极电流

130A

反向恢复时间

1.9 μs

电压 - 集射极击穿（最大值）

3000V

接通时间

637 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.2V @ 15V, 55A

关断时间-标准值（toff)

475 ns

闸门收费

335nC

集极脉冲电流（Icm）

600A

栅极-发射极电压-最大值

25V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant