IXYS IXFA7N60P3

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Power Dissipation (Max)

180W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A Tc

已出版

2013

系列

HiPerFET™, Polar3™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.15 Ω @ 3.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

705pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13.3nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

7A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

7A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant