IXYS IXFB100N50P

工厂交货时间

35 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1890W Tc

Turn Off Delay Time

110 ns

包装

Tube

系列

HiPerFET™, PolarHT™

已出版

2005

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电阻

49MOhm

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

雪崩 额定

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25kW

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

49m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

20000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

240nC @ 10V

上升时间

29ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

26 ns

连续放电电流(ID)

100A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

250A

雪崩能量等级（Eas）

5000 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅