IXFB150N65X2
IXFB150N65X2

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IXYS IXFB150N65X2

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型号

IXFB150N65X2

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXFB150N65X2

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-264-3, TO-264AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-Channel MOSFET, 150 A, 650 V, 3-Pin PLUS264 IXYS IXFB150N65X2

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IXFB150N65X2
IXFB150N65X2 IXYS N-Channel MOSFET, 150 A, 650 V, 3-Pin PLUS264 IXYS IXFB150N65X2

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IXFB150N65X2详情

IXYS IXFB150N65X2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    19 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-264-3, TO-264AA

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    150A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    1560W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    HiPerFET™

  • 已出版

    2015

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    17m Ω @ 75A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5.5V @ 8mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    20400pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    430nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    650V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 连续放电电流(ID)

    150A

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: IXYS IXFB150N65X2.

右边的3个型号有着和IXYS & IXFB150N65X2相似的参数规格。

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    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    Technology
    查看对比:
  • IXFB150N65X2

    IXFB150N65X2

    Through Hole

    TO-264-3, TO-264AA

    650V

    150 A

    150A (Tc)

    10V

    1 (Unlimited)

    MOSFET (Metal Oxide)

  • NTY100N10

    Through Hole

    TO-264-3, TO-264AA

    -

    123 A

    123A (Tc)

    10V

    1 (Unlimited)

    MOSFET (Metal Oxide)

  • NTY100N10G

    Through Hole

    TO-264-3, TO-264AA

    -

    123 A

    123A (Tc)

    10V

    1 (Unlimited)

    MOSFET (Metal Oxide)

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IXFB150N65X2拓展信息

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