IXYS IXFB82N60Q3

工厂交货时间

26 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

引脚数

264

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

82A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1560W Tc

Turn Off Delay Time

60 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2011

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.56kW

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

40 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

75m Ω @ 41A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

6.5V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13500pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

275nC @ 10V

上升时间

300ns

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

82A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.075Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

雪崩能量等级（Eas）

4000 mJ

高度

26.59mm

长度

20.29mm

宽度

5.31mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant