IXYS IXFH13N50

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Turn Off Delay Time

76 ns

Power Dissipation (Max)

180W Tc

Number of Elements

1

系列

HiPerFET™

已出版

2000

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

500V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

13A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

180W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

400m Ω @ 6.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

120nC @ 10V

上升时间

27ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

32 ns

连续放电电流(ID)

13A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.4Ohm

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅