IXYS IXFH14N80P

工厂交货时间

30 Weeks

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

底架

通孔

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Turn Off Delay Time

62 ns

Power Dissipation (Max)

400W Tc

Number of Elements

1

已出版

2006

系列

HiPerFET™, PolarHT™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

雪崩 额定

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

400W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

720m Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

61nC @ 10V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

14A

JEDEC-95代码

TO-247AD

漏极-源极导通最大电阻

0.72Ohm

漏源击穿电压

800V

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅