IXYS IXFH22N60P

工厂交货时间

30 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

60 ns

Power Dissipation (Max)

400W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

已出版

2006

系列

HiPerFET™, PolarHT™

包装

Tube

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

600V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

22A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

400W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

350m Ω @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

58nC @ 10V

上升时间

20ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

23 ns

连续放电电流(ID)

22A

阈值电压

5.5V

JEDEC-95代码

TO-247AD

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

66A

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

25.96mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅