IXYS IXFH52N30Q

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

52A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

360W Tc

Turn Off Delay Time

80 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2000

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电阻

60mOhm

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

300V

额定电流

52A

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

360W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

60m Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 4mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

150nC @ 10V

上升时间

60ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

25 ns

反向恢复时间

250 ns

连续放电电流(ID)

52A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

300V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

208A

双电源电压

300V

栅源电压

4 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅