IXYS IXFH6N100

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

180W Tc

Turn Off Delay Time

100 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2000

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

2Ohm

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

雪崩 额定

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

1kV

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

180W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130nC @ 10V

上升时间

40ns

漏源电压 (Vdss)

1000V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

60 ns

连续放电电流(ID)

6A

阈值电压

4.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏源击穿电压

1kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

双电源电压

1kV

恢复时间

250 ns

栅源电压

4.5 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅