IXYS IXFH6N90

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2000

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

电阻

1.8Ohm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

900V

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

6A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

35

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2 Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130nC @ 10V

上升时间

40ns

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

6A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅