IXYS IXFK100N25

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

560W Tc

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2001

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

560W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

27m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9100pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

300nC @ 10V

上升时间

55ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

40 ns

连续放电电流(ID)

100A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.027Ohm

漏源击穿电压

250V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

RoHS状态

符合RoHS标准