IXYS IXFK200N10P

工厂交货时间

30 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

200A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

830W Tc

Turn Off Delay Time

150 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Bulk

系列

HiPerFET™, PolarP2™

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

7.5MOhm

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

雪崩 额定

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

830W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.5m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

235nC @ 10V

上升时间

35ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

90 ns

连续放电电流(ID)

200A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

雪崩能量等级（Eas）

4000 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅