IXYS IXFK320N17T2

工厂交货时间

30 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

320A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1670W Tc

Turn Off Delay Time

115 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

GigaMOS™

已出版

2009

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

输出的数量

1

输出电压

170V

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

电源电流

100A

操作模式

增强型MOSFET

输出电流

320A

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

46 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.2m Ω @ 60A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

45000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

640nC @ 10V

上升时间

170ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

230 ns

连续放电电流(ID)

320A

漏极-源极导通最大电阻

0.0052Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

800A

雪崩能量等级（Eas）

5000 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅