IXYS IXFK38N80Q2

工厂交货时间

10 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

38A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

735W Tc

Turn Off Delay Time

60 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2004

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

雪崩 额定

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

735W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

220m Ω @ 19A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8340pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

190nC @ 10V

上升时间

16ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

38A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.22Ohm

漏源击穿电压

800V

雪崩能量等级（Eas）

4000 mJ

高度

26.16mm

长度

19.96mm

宽度

5.13mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅