IXYS IXFK55N50

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

625W Tc

Turn Off Delay Time

120 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

55A Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2004

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

3

电阻

90MOhm

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

500V

额定电流

55A

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

560W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

90m Ω @ 27.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

330nC @ 10V

上升时间

60ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

45 ns

连续放电电流(ID)

55A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

220A

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅