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技术文档
型号
IXFM75N10
品牌
IXYS
utmel 编号
1274-IXFM75N10
商品类别
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204, TO-204, 2 PIN
起订量
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IXFM75N10详情
技术参数
IXYS IXFM75N10重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
表面安装
NO
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
Package Shape
ROUND
Manufacturer
IXYS Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
IXYS CORP
Risk Rank
5.83
Part Package Code
TO-3
Drain Current-Max (ID)
75 A
无铅代码
附加功能
雪崩 额定
子类别
FET 通用电源
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
compliant
引脚数量
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-204
最大漏极电流 (Abs) (ID)
漏极-源极导通最大电阻
0.02 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
300 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
300 W
环境耗散-最大值
IXFM75N10拓展信息
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:IXFH80N65X2
封装:TO-247-3
品牌:IXYS
¥55.275364
型号:IXTQ200N10T
封装:TO-3P-3, SC-65-3
库存:210
型号:IXFN420N10T
封装:SOT-227-4, miniBLOC
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型号:IXTH48N65X2
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型号:IXFH60N65X2
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