IXFN106N20
IXFN106N20

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IXYS IXFN106N20

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型号

IXFN106N20

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXFN106N20

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-227-4, miniBLOC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B

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IXFN106N20
IXFN106N20 IXYS MOSFET N-CH 200V 106A SOT-227B

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IXFN106N20详情

IXYS IXFN106N20重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    Chassis Mount, Screw

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    SOT-227-4, miniBLOC

  • 引脚数

    4

  • 供应商器件包装

    SOT-227B

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    106A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    521W Tc

  • Turn Off Delay Time

    75 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    HiPerFET™

  • 已出版

    2000

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    不适用

  • 电阻

    20MOhm

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 电压 - 额定直流

    200V

  • 额定电流

    106A

  • 功率耗散

    520W

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    20mOhm @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 8mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    9000pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    380nC @ 10V

  • 上升时间

    80ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    200V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    30 ns

  • 连续放电电流(ID)

    106A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    200V

  • 输入电容

    9nF

  • 漏源电阻

    20mOhm

  • 最大rds

    20 mΩ

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: IXYS IXFN106N20.

右边的3个型号有着和IXYS & IXFN106N20相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Drain to Source Voltage (Vdss)
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Rds On Max
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Input Capacitance
    查看对比:
  • IXFN106N20

    IXFN106N20

    Chassis Mount, Screw

    SOT-227-4, miniBLOC

    200V

    106 A

    106A (Tc)

    20 mΩ

    20 V

    9 nF

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IXFN106N20拓展信息

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