IXYS IXFN120N20

工厂交货时间

8 Weeks

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

120A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

600W Tc

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2003

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

17MOhm

端子表面处理

Nickel (Ni)

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

200V

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

120A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

600W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

17m Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9100pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

360nC @ 10V

上升时间

55ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

40 ns

连续放电电流(ID)

120A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

480A

双电源电压

200V

恢复时间

250 ns

栅源电压

4 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅