IXYS IXFN140N30P

工厂交货时间

30 Weeks

底架

Chassis Mount, Panel

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

110A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

700W Tc

Turn Off Delay Time

100 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

Polar™

已出版

2003

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

24mOhm

端子表面处理

Nickel (Ni)

附加功能

AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

700W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24m Ω @ 70A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14800pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

185nC @ 10V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

115A

阈值电压

5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

110A

漏源击穿电压

300V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300A

雪崩能量等级（Eas）

5000 mJ

高度

9.6mm

长度

38.2mm

宽度

25.07mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅