IXYS IXFN360N10T

工厂交货时间

30 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

360A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

830W Tc

Turn Off Delay Time

80 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.5V @ 250μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2009

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

2.6MOhm

端子表面处理

NICKEL

附加功能

AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

830W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.6m Ω @ 180A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

36000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

505nC @ 10V

上升时间

100ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

160 ns

连续放电电流(ID)

360A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

900A

雪崩能量等级（Eas）

2000 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅