IXFN56N90P详情
IXYS IXFN56N90P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
35 Weeks
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
56A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1000W Tc
Turn Off Delay Time
93 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
Polar™
已出版
2011
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
电阻
135MOhm
端子表面处理
Nickel (Ni)
附加功能
AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
4
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1kW
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
135m Ω @ 28A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
6.5V @ 3mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
23000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
375nC @ 10V
上升时间
80ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
38 ns
连续放电电流(ID)
56A
漏源击穿电压
900V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
168A
雪崩能量等级(Eas)
2000 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IXFN56N90P拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
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