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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥240.694037
10
¥227.069849
100
¥214.216836
500
¥202.091351
1000
¥190.652222
IXFN64N60P详情
IXYS IXFN64N60P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
30 Weeks
底架
底座安装
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
50A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
700W Tc
Turn Off Delay Time
79 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PolarHV™
已出版
2003
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
96MOhm
端子表面处理
Nickel (Ni)
附加功能
UL RECOGNIZED, AVALANCHE RATED
电压 - 额定直流
600V
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
64A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
700W
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
96m Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 8mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
12000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
200nC @ 10V
上升时间
23ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
24 ns
连续放电电流(ID)
50A
阈值电压
5V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
600V
雪崩能量等级(Eas)
3500 mJ
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IXFN64N60P拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS








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