IXYS IXFN82N60P

工厂交货时间

30 Weeks

底架

Chassis Mount, Panel

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

72A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1040W Tc

Turn Off Delay Time

79 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

PolarHV™

已出版

2009

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Nickel (Ni)

附加功能

AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.04kW

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

28 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

75m Ω @ 41A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

23000pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

240nC @ 10V

上升时间

23ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

24 ns

连续放电电流(ID)

72A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

82A

漏极-源极导通最大电阻

0.075Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

雪崩能量等级（Eas）

5000 mJ

高度

9.6mm

长度

38.2mm

宽度

25.07mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅