IXYS IXFR180N10

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOPLUS247™

引脚数

247

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

165A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

400W Tc

Turn Off Delay Time

140 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2000

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

100V

额定电流

165A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

400W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8m Ω @ 90A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

400nC @ 10V

上升时间

90ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

65 ns

反向恢复时间

250 ns

连续放电电流(ID)

165A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.008Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

720A

双电源电压

100V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

隔离电压

2.5kV

栅源电压

4 V

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅