IXYS IXFR18N90P

工厂交货时间

30 Weeks

包装/外壳

ISOPLUS247™

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

247

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

200W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.5A Tc

已出版

2011

系列

HiPerFET™, PolarP2™

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

200W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

660m Ω @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

6V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5230pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

97nC @ 10V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

10.5A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.66Ohm

漏源击穿电压

900V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36A

雪崩能量等级（Eas）

800 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant