IXYS IXFR64N50P

包装/外壳

ISOPLUS247™

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

35A Tc

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Turn Off Delay Time

85 ns

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

系列

HiPerFET™, PolarHT™

已出版

2006

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

电压 - 额定直流

500V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

64A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

95m Ω @ 32A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

150nC @ 10V

上升时间

25ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

35A

阈值电压

5.5V

JEDEC-95代码

TO-247AD

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.095Ohm

漏源击穿电压

500V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

150A

雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ

隔离电压

2.5kV

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅