IXYS IXFT15N100

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

120 ns

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IXFT15N100

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

IXYS Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

IXYS CORP

Risk Rank

5.21

Part Package Code

TO-268

Drain Current-Max (ID)

15 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

电阻

700 mΩ

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

360 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

30 ns

漏源电压 (Vdss)

1 kV

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

15 A

JEDEC-95代码

TO-268

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

15 A

漏极-源极导通最大电阻

0.7 Ω

漏源击穿电压

1 kV

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60 A

DS 击穿电压-最小值

1000 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

360 W

漏源电阻

700 mΩ

无铅

无铅