IXYS IXFT28N50F

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IXFT28N50F

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

IXYS CORP

Part Package Code

TO-268AA

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Risk Rank

5.76

Drain Current-Max (ID)

28 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

41 ns

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

315 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

315 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

13 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

28 A

JEDEC-95代码

TO-268AA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

28 A

漏极-源极导通最大电阻

0.19 Ω

漏源击穿电压

500 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

112 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

1500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

315 W

漏源电阻

190 mΩ

达到SVHC

无SVHC